Aqui está o texto reformulado:

A China vem apresentando inovações significativas na indústria de hardware nos últimos meses. A mais recente delas se refere à memória flash, que equipa SSDs e permite escrita e leitura de forma extremamente veloz, atingindo 400 picossegundos. Essa unidade de medida de tempo equivale a um segundo dividido por um trilhão.

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O feito vem da Universidade de Fudan em Xangai, China, e tem como maior objetivo eliminar o gargalo causado pelas memórias atuais no processamento de aplicações com inteligência artificial. Isso significa que o país está dando um salto significativo em inteligência artificial como um todo.

Para efeito de comparação, memórias SRAM e DRAM, que estão na memória cache da CPU e memória RAM, por exemplo, escrevem dados entre 1 a 10 nanossegundos. Porém, a memória flash que temos em SSDs é consideravelmente mais lenta, chegando aos milissegundos.

Memória “PoX” é muito rápida e não volátil

A nova invenção não é só extremamente rápida, fazendo a escrita de dados em picossegundos, mas também mantém todos os dados salvos por ser não volátil, como SSDs e pendrives. Diferente da memória RAM, que, apesar de rápida, perde todas as informações ao reiniciar o sistema.

“Ao usar algoritmos de IA para otimizar as condições de teste do processo, avançamos significativamente com essa inovação e abrimos caminho para suas futuras aplicações”, disse o professor Zhou Peng.

Chamada de “Phase-change Oxide” (PoX), a nova memória já passou nos testes iniciais e a equipe já trabalha com parceiros de fabricação. O próximo passo, como afirma a pesquisadora Liu Chunsen, é levar a invenção para os smartphones e computadores e permitir a inferência de IA de forma local:

“Agora conseguimos fabricar um chip em pequena escala e totalmente funcional. A próxima etapa envolve integrá-lo aos smartphones e computadores existentes. Dessa forma, ao implantar modelos locais em nossos telefones e computadores, não encontraremos mais os problemas de gargalo, como atraso e aquecimento, causados pela tecnologia de armazenamento existente”.

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