Contrariando rumores sobre problemas no avanço da litografia 18A, a Intel afirmou que o processo tem evoluído bem. Durante uma conferência nesta semana, a empresa revelou que conseguiu implementar SRAM com a mesma densidade oferecida pela TSMC com seu processo N2.

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A TSMC é a maior fabricante de semicondutores do mundo, conhecida por seus avanços tecnológicos. Essa nova informação representa um grande passo para a Intel Foundry, que caminha para sua independência em fabricação de semicondutores e atração de mais clientes.

A Intel também trabalha em um sistema de entrega de energia através da parte de trás do silício, chamado de BSPDN (Backside Power Delivery). Isso será algo inédito na indústria, precisando somente a implementação em um produto de fato, algo que pode acontecer com os processadores Panther Lake.

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Avanço pode render CPUs mais rápidas

Com o processo Intel 18A, a empresa promete entregar densidade de SRAM de 38 Mb/nm², mesmo valor prometido pela TSMC com a litografia de 2 nm. Quanto menor esses números, mais memória cabe em um espaço pequeno.

A avanço no processo de fabricação de SRAM é importante porque essa tecnologia é usada em memória cache, entre outros componentes de hardware. Conseguindo entregar maior densidade significa que os processadores terão mais cache, entregando mais desempenho por isso.

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