A Micron anunciou sua nova memória RAM DDR5 de 9.200 MT/s fabricada em processo de 1γ (1-gamma). Com isso, a companhia promete oferecer memórias com performance extrema e baixíssimo consumo energético, estabelecendo um novo padrão na indústria de semicondutores.

• Gigantes da memória RAM podem abandonar produção de DDR3 e DDR4 em 2025.
• Samsung vai redesenhar chip 1c DRAM para recuperar credibilidade no mercado.

Os novos componentes são um salto significativo em relação à geração anterior. Além da velocidade impressionante de 9.200 MT/s, muito acima da média atual para o padrão DDR5, os novos chips prometem consumir 20% menos energia e ter 30% maior densidade de bits em comparação com a geração anterior fabricada em processo de 1β (1-beta).

O anúncio marca ainda a estreia da Micron no uso da litografia EUV (Extreme Ultraviolet) para fabricação de memórias DRAM. Embora tardia em relação a concorrentes como Samsung e SK Hynix, essa tecnologia deve permitir à Micron produzir chips menores, mais eficientes e com melhor custo-benefício, impactando toda a indústria nos próximos anos.

Eficiência e desempenho das novas memórias DDR5-9200

As novas memórias DDR5-9200 da Micron são baseadas em chips de 16 Gb (2 GB) e operam com tensão padrão de 1,1V. A maior eficiência energética aliada à altíssima densidade de bits permitirá à empresa produzir mais chips em cada wafer de silício, o que deve se traduzir em redução de custos de produção quando o novo processo atingir níveis de rendimento comparáveis aos da geração atual.

É importante notar que a velocidade de 9.200 MT/s está muito acima de qualquer especificação atual do padrão DDR5 definido pelo JEDEC. A Micron explica que os chips podem operar normalmente nas velocidades homologadas pelo JEDEC, mas a capacidade extra de overclock permite compatibilidade futura com as próximas gerações de processadores e uso em módulos de memória de alto desempenho para entusiastas.

A companhia também sugere que as novas memórias podem ser utilizadas em módulos CUDIMM ou baseados no padrão CXL, aproveitando velocidades superiores às definidas pelo JEDEC.

Como funciona a tecnologia de 1γ?

O processo de fabricação 1γ (1-gamma) é a sexta geração de tecnologia de 10nm da Micron para produção de memórias DRAM. A principal novidade é a adoção da litografia EUV (Extreme Ultraviolet), utilizada pela primeira vez pela companhia na produção de memórias.

Embora a empresa não tenha revelado quantas camadas utilizam litografia EUV, é provável que a tecnologia seja aplicada em etapas críticas que antes exigiam múltiplas exposições com litografia DUV convencional. Isso permite reduzir o número de etapas de fabricação, melhorando o rendimento e reduzindo custos.

Além da litografia EUV, o processo 1γ da Micron incorpora outras inovações importantes:

1. Nova tecnologia de transistores high-K metal gate, que melhora o desempenho e a eficiência energética
2. Otimizações de design que contribuem para o aumento de densidade e redução do consumo
3. Técnicas avançadas de corrosão (etching) de alta razão de aspecto
4. Nova circuitaria de back-end-of-line (BEOL)

A combinação dessas tecnologias é o que permite alcançar o impressionante desempenho de 9.200 MT/s, 15% superior à geração anterior, enquanto reduz o consumo de energia em 20%.

É importante notar que, embora tardia, a adoção da litografia EUV deve permitir à Micron alcançar seus concorrentes em termos de densidade e eficiência. A Samsung e SK Hynix já utilizam EUV há alguns anos na produção desses componentes, enquanto a Micron se manteve competitiva até agora utilizando técnicas avançadas de litografia DUV com múltiplas exposições.

Quando as novas memórias da Micron serão lançadas?

A Micron já está enviando amostras das novas memórias DDR5-9200 para parceiros do ecossistema e clientes selecionados. A expectativa é que o processo de qualificação dos chips seja concluído em até seis meses, o que significa que podemos ver produtos utilizando essas memórias no mercado a partir de meados de 2025.

Inicialmente, é provável que a novidade seja adotada em servidores e notebooks de alto desempenho, onde os ganhos de eficiência energética são especialmente importantes. A Micron também espera que módulos de memória para entusiastas utilizem os novos chips para atingir velocidades superiores a 10.000 MT/s.

Os planos da fabricante são de utilizar o processo 1γ para manufaturar outros tipos de memória no futuro, incluindo GDDR7, LPDDR5X e produtos específicos para data centers.

No entanto, é importante notar que, como ocorre com qualquer nova tecnologia de ponta, os preços iniciais dessas memórias devem ser bastante elevados. A popularização e redução de preços para o mercado consumidor em geral deve ocorrer de forma gradual ao longo de 2025 e 2026, à medida que a produção for ampliada e os rendimentos melhorados.